13651969369
當(dāng)前位置：首頁 > 產(chǎn)品中心 > 二維材料 > 異質(zhì)結(jié) > SiO2/Si晶片的CVD石墨烯六方氮化硼異質(zhì)結(jié)
簡要描述：SiO2/Si晶片的CVD石墨烯六方氮化硼異質(zhì)結(jié)石墨烯/h-BN薄膜的性質(zhì)：單層h-BN薄膜上的單層石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移到285nm（p摻雜）SiO2/Si晶片上尺寸：1cmx1cm; 8片裝每個(gè)薄膜的厚度和質(zhì)量由拉曼光譜控制該產(chǎn)品的覆蓋率約為98％薄膜是連續(xù)的，有小孔和有機(jī)殘留物高結(jié)晶質(zhì)量石墨烯薄膜預(yù)先單層（超過95％），偶爾有少量多層（雙層小于5％）
更新時(shí)間：2024-06-03產(chǎn)品型號(hào)： 廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家訪 問 量：886相關(guān)文章
Related Articles詳細(xì)介紹
基于SiO2/Si晶片的CVD石墨烯六方氮化硼異質(zhì)結(jié)
石墨烯/h-BN薄膜的性質(zhì)：
單層h-BN薄膜上的單層石墨烯薄膜轉(zhuǎn)移到285nm（p摻雜）SiO2/Si晶片上
尺寸：1cmx1cm; 8片裝
每個(gè)薄膜的厚度和質(zhì)量由拉曼光譜控制
該產(chǎn)品的覆蓋率約為98％
薄膜是連續(xù)的，有小孔和有機(jī)殘留物
高結(jié)晶質(zhì)量
石墨烯薄膜預(yù)先單層（超過95％），偶爾有少量多層（雙層小于5％）
薄層電阻：430-800Ω/平方
石墨烯薄膜以及h-BN薄膜通過CVD方法在銅箔上生長，然后轉(zhuǎn)移到SiO2/Si晶片上。
硅/二氧化硅晶圓的特性：
氧化層厚度：285nm
顏色：紫羅蘭色
晶圓厚度：525微米
電阻率：0.001-0.005歐姆 - 厘米
型號(hào)/摻雜劑：P /硼
方向：<100>
前表面：拋光
背面：蝕刻
產(chǎn)品咨詢
聯(lián)系人：陳谷一
地址：江蘇省泰州市鳳凰西路168號(hào)
郵箱：taizhou@sunano.com.cn
電話：021-56830191掃一掃以下二維碼了解更多信息
銷售微信咨詢
網(wǎng)站二維碼
歡迎來到